При движении домена к аноду, вследствие возрастания напря-женности поля в домене , происходит увеличение числа электро-нов, перешедших в боковую долину. Это приводит к дальнейшему увеличению и накоплению объемного заряда. Анализ этого про-цесса приводит к следующему выражению для изменения заряда:
,
где – начальное значение заряда в момент начала образования до-мена (t=0), – постоянная времени диэлектрической ре-лаксации, = 12,5– относительная диэлектрическая проницаемость GaAs, = 8,8510-14 Ф/см, e = 1,610-19 Кл – заряд электрона. За время заряд Q возрастает в 2,72 раза , так как .
Напряженность поля в домене Ed может превышать Епор в десятки раз и ограничена сверху только возможностью развития лавинного пробоя при 200 кВ/см.
Опубликовал Kest
January 27 2011 21:07:45 ·
0 Комментариев ·
3736 Прочтений ·
Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.
Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.
Нет данных для оценки.
Гость
Вы не зарегистрированны? Нажмите здесь для регистрации.
