Как следует из теории, в полупроводниках с ОДП однородное распределение напряженности поля и объемного заряда является неус-тойчивым. В образцах возникает объемная электрическая неустойчи-вость. Предположим, что в результате неоднородности концентрации примеси или флюктуации скорости в образце, к которому приложено постоянное напряжение , возникло неоднородное распределение концентрации электронов в виде дипольного слоя, т.е. на одном участ-ке концентрация электронов увеличилась, а на другом – уменьшилась. Между этими заряженными участками возникает дополнительное поле Е. Это поле добавляется к внешнему полю . Если суммарная на-пряженность = +E меньше (>0), то электроны переме-щаются из области с повышенной концентрацией с большей скоро-стью, чем в нее, поэтому возникшая неоднородность концентрации рассасывается. Если > , то первоначально возникшая неодно-родность не рассасывается, а наоборот, возрастает.
Опубликовал Kest
January 27 2011 21:07:16 ·
0 Комментариев ·
3036 Прочтений ·
Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.
Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.
Нет данных для оценки.
Гость
Вы не зарегистрированны? Нажмите здесь для регистрации.
