В настоящее время генераторы на ДГ находят применение в ка-честве СВЧ гетеродинов, генераторов накачки параметрических уси-лителей и генераторов для маломощных передатчиков сантиметрового и миллиметрового диапазонов.
В отличие от СВЧ транзисторов и диодов, свойства которых оп-ределяются процессами в р-n-переходах, свойства диода Ганна харак-теризуются явлениями, возникающими при сильных электрических полях в объеме сложных полупроводников n-типа: арсенида галлия (GaAs), фосфида индия (InP), арсенида индия (InAs), теллурида кадмия (CdTe), селенида цинка (ZnSe) и др. Эти полупроводники обладают специфической структурой зоны проводимости, в которой возможен “междолинный переход” электронов при наличии в объеме сильных электрических полей. Переход электронов приводит к возникновению отрицательной дифференциальной проводимости, что является необ-ходимым условием для генерирования или усиления колебаний.
Опубликовал Kest
January 27 2011 21:06:18 ·
0 Комментариев ·
3242 Прочтений ·
Комментарии
Нет комментариев.
Добавить комментарий
Пожалуйста залогиньтесь для добавления комментария.
Рейтинги
Рейтинг доступен только для пользователей.
Пожалуйста, залогиньтесь или зарегистрируйтесь для голосования.
Нет данных для оценки.
Гость
Вы не зарегистрированны? Нажмите здесь для регистрации.
